DDR3內(nèi)存河南科技市場網(wǎng)測評

　　(2019-11-23)河南鄭州科技市場IT產(chǎn)品配送網(wǎng)-鄭州電腦手機(jī)測評中心

　　2008年對于內(nèi)存來說，特別是DDR2內(nèi)存，可說是一個動蕩的年代。內(nèi)存的狂跌，一方面使得市場需求擴(kuò)大，內(nèi)存升級趨勢明顯;而另一方面，由于內(nèi)存價格不穩(wěn)，不停下滑，也使得不少人擔(dān)心錯過最佳購買時機(jī)，不敢輕易下手，這種情況直到2008年年底DDR2內(nèi)存價格穩(wěn)定在“大白菜”階段才逐漸改變。不過價格的動蕩并不能改變DDR2內(nèi)存逐漸出局的現(xiàn)實，隨著Intel Nehalem平臺的問世，DDR3內(nèi)存必然將逐步接管DDR2內(nèi)存的市場。所以不管怎么看，DDR2內(nèi)存在2008年的表現(xiàn)都像是最后的瘋狂，而隨著2008年的逝去，DDR2的光環(huán)也將漸漸暗淡并逐步退出歷史舞臺。

　　談到DDR3內(nèi)存，說實話，盡管Intel從3系列芯片組開始就可以支持DDR3內(nèi)存，但由于DDR3內(nèi)存價格的關(guān)系，無論是主板廠商還是消費者，都依然將DDR2內(nèi)存作為首選。DDR2內(nèi)存相比DDR3內(nèi)存，除了價格上有無可爭議的優(yōu)勢外，DDR2的低延遲也使得性能并不遜色于最早的DDR3內(nèi)存(比如DDR3 1066)。不過從芯片組以及處理器的發(fā)展來看，DDR3內(nèi)存在2009年必然逐步走向主流，同時隨著價格的下滑以及頻率的提高，DDR3內(nèi)存對比DDR2內(nèi)存的劣勢隨著時間的推移也將蕩然無存。而本次我們策劃了主流DDR3內(nèi)存測試，就是希望能在DDR3內(nèi)存這波狂潮即將來臨之際，讓消費者了解到目前市面上主流DDR3內(nèi)存的性能，更順利地搭上這艘IT新時代的巨輪。

　　DDR3內(nèi)存的技術(shù)亮點

　　盡管自DDR3內(nèi)存問世以來，我們河南科技市場網(wǎng)就對DDR3內(nèi)存做過多次報道，不過在測試之際，我們還是有必要再一次談?wù)凞DR3內(nèi)存在技術(shù)上的亮點。DDR3內(nèi)存可達(dá)到的頻率上限超過2000MHz，和DDR2一樣，它使用預(yù)讀取技術(shù)提升外部頻率并降低存儲單元運(yùn)行頻率，這次的預(yù)讀取位數(shù)是8bit。數(shù)據(jù)預(yù)讀取技術(shù)具體實現(xiàn)的方式是用兩倍于DDR2內(nèi)存的數(shù)據(jù)預(yù)取架構(gòu)來增強(qiáng)存儲單元并行運(yùn)行能力，在提供相同傳輸速率的同時降低了存儲單元的運(yùn)行頻率，和DDR400/DDR2 800內(nèi)存的200MHz存儲單元運(yùn)行頻率相比，DDR3 1066內(nèi)存的存儲單元僅運(yùn)行在133MHz，由于存儲單元的頻率很難在往上提升，因此200MHz存儲單元運(yùn)行頻率達(dá)到了大規(guī)模因應(yīng)用的極限，而DDR3還可以提升存儲單元頻率來提高DRAM輸出頻率，最終改善整個內(nèi)存模組能夠提供的帶寬。目前，JEDEC認(rèn)證了DDR3 800、DDR3 1066、DDR3 1333三種規(guī)格，此外部分芯片組還能夠在超頻之后支持DDR3 1600以上的內(nèi)存規(guī)格，從目前市面的DDR3內(nèi)存來看，DDR3 1066以及DDR3 1333是最常見。

　　相對DDR2內(nèi)存而言，DDR3內(nèi)存在技術(shù)上還有很多改變。其中點對點連接是DDR3和DDR2最關(guān)鍵的區(qū)別。點對點連接是為了提高系統(tǒng)性能而進(jìn)行的重要改動，在DDR3系統(tǒng)中，一個內(nèi)存控制器只與一個內(nèi)存通道打交道，而且這個內(nèi)存通道只能有一個插槽，因此，內(nèi)存控制器與DDR3內(nèi)存模組之間是點對點的關(guān)系(單物理Bank的模組)，或者是點對雙點的關(guān)系(雙物理Bank的模組)，從而大大地減輕了地址/命令/控制與數(shù)據(jù)總線的負(fù)載。

　　除了點對點連接外，新增的重置功能也是DDR3內(nèi)存的一項重要功能。為了這項功能，DDR3內(nèi)存為此專門準(zhǔn)備了一個引腳，這一引腳使DDR3的初始化處理變得簡單。當(dāng)Reset命令有效時，DDR3內(nèi)存將停止所有操作，并切換至最少量活動狀態(tài)，以節(jié)約電力。在Reset期間，DDR3內(nèi)存將關(guān)閉內(nèi)在的大部分功能，所有數(shù)據(jù)接收與發(fā)送器都將關(guān)閉，所有內(nèi)部的程序裝置將復(fù)位，DLL與時鐘電路將停止工作，而且不理睬數(shù)據(jù)總線上的任何動靜。這樣一來，將使DDR3達(dá)到最節(jié)省電力的目的。值得一提的是，目前的DDR3內(nèi)存很多還是1GB的，不過在以后，新型的DDR3內(nèi)存將從2GB容量起步，這種內(nèi)存的邏輯Bank為8個，另外還為未來的16個邏輯Bank做好了準(zhǔn)備，這樣以后我們在市面上就能看到很多單根4GB容量的DDR3內(nèi)存了。此外，DDR3內(nèi)存支持根據(jù)溫度自動自刷新及局部自刷新等其它一些功能，聯(lián)合重置功能和1.5V的低操作電壓，所以DDR3內(nèi)存在功耗方面要比DDR2內(nèi)存更為出色。

　　Intel推動DDR3內(nèi)存普及

　　在2008年11月，Intel發(fā)布了Core i7處理器與X58主板。和過去的芯片組不同，這次Core i7內(nèi)置了內(nèi)存控制器，同時只支持DDR3內(nèi)存，而且在未來，Intel的Nehalem中低端處理器與配套的主板也不再支持DDR2內(nèi)存。從這一刻開始，我們可以宣布DDR2內(nèi)存徹底將于Intel主板絕緣，這樣不管消費者愿意不愿意，只要升級到Nehalem平臺，那么就只能使用DDR3內(nèi)存。考慮到Intel在市場的份額和影響力，DDR3內(nèi)存的迅速普及基本上已經(jīng)成為了定局。

　　在2009年，AMD的AM3處理器以及相應(yīng)的主板即將問世，屆時AMD也將徹底拋開DDR2內(nèi)存，讓AM3平臺只支持DDR3內(nèi)存。可以說，Phenom Ⅱ同時支持DDR2和DDR3這種產(chǎn)品策略，一方面可以讓原AMD用戶在升級的時候有更多的選擇，另一方面AMD也是希望在Intel全面轉(zhuǎn)向DDR3內(nèi)存時，市場能留有一些可乘之機(jī)可供AM2+平臺利用。

　　不管怎么說，2009年都將是DDR3內(nèi)存正式接手內(nèi)存市場的時期。當(dāng)然，由于不少用戶依然使用著Core2平臺，再加上AM2+平臺依然支持DDR2內(nèi)存，所以DDR2內(nèi)存依然有一些生存的空間。但無論是已經(jīng)進(jìn)入DDR3時代的Intel，還是即將進(jìn)入DDR3時代的AMD，DDR3都是他們更好的選擇。而作為消費者而言，不管是主動還是被動，不管是早還是晚，能做的事情都只有一件：接受DDR3內(nèi)存。

　　測試平臺

　　主板：華碩Rampage II Extreme

　　處理器：Intel Core i7 940

　　顯卡：NVIDIA GeForce GTX260

　　硬盤：希捷7200.11 1TB

　　顯示器：AOC 619Fh

　　電源：航嘉多核F1

　　系統(tǒng)：Windows Vista SP1

　　在本次內(nèi)存年度測試中，我們并沒有使用過去的Intel的3系列或者4系列芯片組來測試DDR3內(nèi)存，而是采用了華碩X58主板Rampage II Extreme搭配Intel的Core i7 940處理器來測試內(nèi)存。因為我們認(rèn)為，這樣搭配的一套平臺，是消費者可以在市場上購買到的，具有實際的意義。同時，也只有在這樣一套平臺上，大家才能了解到DDR3內(nèi)存的真實性能。所以，本次測試的DDR3內(nèi)存，每一家廠商的產(chǎn)品都是采用了DDR3 1333 1GB×3這樣的組合，用以適應(yīng)Core i7平臺的三通道內(nèi)存系統(tǒng)。

　　在這次評測中，我們主要測試的是每一家廠商內(nèi)存產(chǎn)品的基礎(chǔ)性能、參數(shù)延遲優(yōu)化、超頻性能。在測試中，我們主要采用像PCMark Vantage、SiSoftware Sandra等標(biāo)準(zhǔn)測試軟件以及一款3D游戲來測試每一款內(nèi)存的性能。而在參數(shù)優(yōu)化選擇上，我們則在主板BIOS中手動調(diào)整內(nèi)存的時序，讓內(nèi)存達(dá)到能穩(wěn)定運(yùn)行的最低時序，同時測試在延遲參數(shù)優(yōu)化后的性能表現(xiàn)。而超頻測試方面，我們則通過提升處理器的外頻來提升內(nèi)存的頻率，直至內(nèi)存無法穩(wěn)定工作，超頻時內(nèi)存的時序一律統(tǒng)一為9-10-10-25。

　　河南科技市場網(wǎng)小知識：

　　內(nèi)存延遲表示系統(tǒng)進(jìn)入數(shù)據(jù)存取操作就緒狀態(tài)前等待內(nèi)存響應(yīng)的時間，它通常用4個連著的阿拉伯?dāng)?shù)字來表示。其中第一個數(shù)字表示內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)所需的延遲時間(CAS Latency)，即我們常說的CL值;第二個數(shù)字表示從內(nèi)存行地址到列地址的延遲時間(tRCD);第三個數(shù)字表示內(nèi)存行地址控制器預(yù)充電時間(tRP)，即內(nèi)存從結(jié)束一個行訪問到重新開始的間隔時間;第四個數(shù)字表示內(nèi)存行地址控制器激活時間(tRAS)。一般來說，這4個數(shù)字越小，表示內(nèi)存性能越好。

　　值得一提的是，考慮到Core i7內(nèi)置內(nèi)存控制器，其處理器核心電壓和內(nèi)存電壓同步，如果我們采用提升內(nèi)存電壓的方式來進(jìn)行超頻，那么很可能讓處理器超過安全電壓，所以本次測試，我們并沒有對內(nèi)存進(jìn)行加壓，所有測試都是在內(nèi)存以及處理器的默認(rèn)電壓下進(jìn)行。最后我們還將用測溫儀測試每一款內(nèi)存在工作時的溫度，看看DDR3在工作時的溫度是否相比過去DDR2時代有所降低。

　　金士頓ValueRam DDR3 1333

　　默認(rèn)時序：9-10-10-25

　　河南科技市場網(wǎng)價格：648元(套裝三條)

　　金士頓ValueRam DDR3 1333在做工上延續(xù)了金士頓的一向風(fēng)格，看上去樸實無華。這款內(nèi)存采用了日本爾必達(dá)的內(nèi)存顆粒，內(nèi)存時序設(shè)定得比較保守，僅為9-10-10-25，和過去金士頓的一些DDR3內(nèi)存條的參數(shù)有較大差距。內(nèi)存在工作時的溫度為39℃，發(fā)熱量較小。這款內(nèi)存在測試中，PCMark Vantage成績不錯，在內(nèi)存時序如此之高的情況下，有這樣的成績的確是難能可貴，這和內(nèi)存優(yōu)秀的電氣性能是分不開的。經(jīng)過我們的調(diào)整，這款內(nèi)存的時序可以優(yōu)化為6-7-7-18，此時，各項性能測試的成績都有了一定的提升。值得一提的是，如果我們將內(nèi)存時序調(diào)整為6-6-6-15，此時依然可以開機(jī)并穩(wěn)定運(yùn)行程序，但是各項性能測試的成績卻大幅度的下降。金士頓這款內(nèi)存的超頻性能在參測產(chǎn)品中并不突出，在不加電壓的情況下，內(nèi)存最高能達(dá)到DDR3 1680。

　　KingMAX(勝創(chuàng))DDR3 1333

　　默認(rèn)時序：9-10-10-23

　　河南科技市場網(wǎng)價格：

　　勝創(chuàng)的這款DDR3 1333 內(nèi)存做工比較嚴(yán)謹(jǐn)，采用了爾必達(dá)的內(nèi)存顆粒，默認(rèn)的內(nèi)存時序也相當(dāng)?shù)停贒DR3 1333下只有9-10-10-25。這款內(nèi)存工作時的發(fā)熱量也不高，只有38℃。勝創(chuàng)這款產(chǎn)品在默認(rèn)參數(shù)下，除了內(nèi)存的讀取速度，其他性能在參測產(chǎn)品中只能算一般。不過這款內(nèi)存最大的優(yōu)勢就在于可以將時序調(diào)至很低，在經(jīng)過手動調(diào)整后，這款內(nèi)存可以在6-6-6-15的時序下穩(wěn)定工作，這個時序也是本次參測產(chǎn)品在延遲優(yōu)化后的最低時序。在內(nèi)存延遲如此低的情況下，這款內(nèi)存的表現(xiàn)就相當(dāng)出色了，各項測試成績也在參測產(chǎn)品中名列前茅。勝創(chuàng)DDR3 1333內(nèi)存的超頻性尚可，在不加電壓以及9-10-10-25的默認(rèn)時序下，可以超到DDR3 1720的頻率上去。

　　威剛Vitesta DDR3 1333+

　　默認(rèn)時序：9-10-10-25

　　河南科技市場網(wǎng)價格：330元(單條)

　　威剛Vitesta DDR3 1333+內(nèi)存和過去的紅色威龍系列相仿，在內(nèi)存上加裝了紅色散熱片，看上去比較高端華貴。這款產(chǎn)品采用的是三星的內(nèi)存顆粒，在1.5V電壓下內(nèi)存時序為9-10-10-25，而在1.75V下，這款內(nèi)存的時序可以達(dá)到7-8-8-21，當(dāng)然考慮到Core i7的處理器電壓，我們無法讓內(nèi)存運(yùn)行在高電壓環(huán)境下。由于加裝了散熱片，所以這款產(chǎn)品的工作溫度只有32℃，比較清涼。在默認(rèn)時序下，威剛這款產(chǎn)品的PCMark Vantage的成績還不錯，但其他測試成績就不算突出了。在經(jīng)過手動調(diào)整后，這款內(nèi)存可以運(yùn)行在7-7-7-18的時序下，此時測試成績有了一定的提升。威剛這款產(chǎn)品的超頻性能還不錯，在默認(rèn)時序以及默認(rèn)電壓下，內(nèi)存可以超至DDR3 1740，這也是本次測試中超頻性能最好的一款產(chǎn)品。

　　三星金條DDR3 1333

　　默認(rèn)時序：9-10-10-25

　　河南科技市場網(wǎng)價格：270元(單條)

　　三星金條的質(zhì)量一向不錯，這次參測的DDR3 1333在做工方面也延續(xù)三星的傳統(tǒng)，無論是做工還是電子元件的設(shè)計都比較出色。這款內(nèi)存采用了三星自家的SEC顆粒，默認(rèn)時序也是9-10-10-25，設(shè)置得比較保守。值得一提的是，在沒有加裝散熱片的情況下，這款內(nèi)存的工作溫度相當(dāng)?shù)停挥?5℃。在默認(rèn)時序下，這款內(nèi)存的PCMark Vantage的成績相當(dāng)出色，甚至比一些默認(rèn)時序較低產(chǎn)品成績還高，而在其他測試項目上，則沒有太大的區(qū)別。在經(jīng)過優(yōu)化調(diào)整后，這款內(nèi)存可以在7-7-7-18的時序下工作。三星這款內(nèi)存可以在默認(rèn)電壓下超至DDR3 1720，超頻性能還是不錯。

　　金泰克烈焰版DDR3 1333

　　默認(rèn)時序：8-9-9-25

　　河南科技市場網(wǎng)價格：315(單條)

　　金泰克烈焰版DDR3 1333在內(nèi)存上加裝了鋁制散熱片，看上去比較高檔，由于散熱片和內(nèi)存顆粒貼得非常緊密，所以我們無法拆開散熱片查看內(nèi)存顆粒。這款內(nèi)存的默認(rèn)時序在本次參測產(chǎn)品中設(shè)置得比較低，為8-9-9-25。內(nèi)存在工作時的溫度也不高，只有34℃。由于默認(rèn)時序較低，所以這款內(nèi)存的測試成績不錯，除了PCMark以外，其他成績包括內(nèi)存讀寫、ScienceMark的內(nèi)存得分在參測產(chǎn)品中都較為突出。這款內(nèi)存的時序可以優(yōu)化到7-7-7-18，此時，測試成績還可有一定的提升。金泰克烈焰版DDR3 1333內(nèi)存的超頻性能不錯，在時序為9-10-10-25的設(shè)定下，可超至DDR3 1730。

　　宇瞻DDR3 1333

　　默認(rèn)參數(shù)：9-10-10-25

　　河南科技市場網(wǎng)價格：299元(單條)

　　宇瞻DDR3 1333內(nèi)存在外觀上和過去宇瞻的DDR2產(chǎn)品相比沒有什么區(qū)別，這款內(nèi)存也加裝了散熱片，所以工作溫度也不高，只有35℃。這款內(nèi)存默認(rèn)時序依然較高，和部分參測內(nèi)存相同，為9-10-10-25。在測試中，這款內(nèi)存的PCMark表現(xiàn)不錯，其他成績則顯得一般。經(jīng)過優(yōu)化，這款內(nèi)存的時序可以調(diào)整至7-7-7-18，內(nèi)存的成績有一定的提升。在超頻方面，這款內(nèi)存的表現(xiàn)不錯，在默認(rèn)電壓以及默認(rèn)時序下可以超至DDR3 1740。

　　博帝DDR3 1333

　　默認(rèn)時序：9-9-9-24

　　價格：

　　博帝DDR3 1333內(nèi)存也加裝了鋁制散熱片，運(yùn)行時的工作溫度只有34℃。這款產(chǎn)品在1.5V電壓時的默認(rèn)時序為9-9-9-24，而在1.7V內(nèi)存電壓時，時序則為7-7-7-20，當(dāng)然由于處理器和內(nèi)存電壓同步的原因，我們也無法將內(nèi)存電壓調(diào)整至1.7V。由于默認(rèn)時序略低，所以這款內(nèi)存的成績還是不錯，PCMark Vantage、內(nèi)存讀寫以及ScienceMark的內(nèi)存得分比一些時序較高的產(chǎn)品略好。在經(jīng)過優(yōu)化后，即使不加電壓，這款內(nèi)存的時序也可以調(diào)整為7-7-7-18，這樣內(nèi)存的整體性能也有一定幅度的提升。此外，這款內(nèi)存將時序調(diào)整為9-10-10-25后，可以超至DDR3 1730。

　　測試結(jié)果分析

　　從測試結(jié)果來看，這次DDR3內(nèi)存的年度測試并沒有出乎我們的意料。和DDR2內(nèi)存相比，雖然DDR3的延遲依然比較高，但是憑借三通道以及更高的頻率，無論是PCMark成績還是內(nèi)存的讀寫、int/float成績，和過去DDR2的測試成績相比，DDR3內(nèi)存依然在性能上超過DDR2內(nèi)存不少。在處理器性能越來越強(qiáng)的今天，恐怕也只有DDR3內(nèi)存才能跟上處理器的前進(jìn)的步伐了。

　　如果單從本次測試的產(chǎn)品來看，如果保持在同一頻率下，那么時序較低的產(chǎn)品無疑性能較好。除了PCMark Vantage和游戲以外，在大多數(shù)測試項目中，測試成績都是以時序高低為標(biāo)準(zhǔn)。而PCMark和游戲更多是和內(nèi)存的頻率相關(guān)，在延遲本身就較高的情況下，有一定時序的調(diào)整對成績影響不大。而對于時序調(diào)整而言，這就和內(nèi)存本身的顆粒、PCB以及整體做工有關(guān)了。我們看到少數(shù)內(nèi)存可以正常工作在CL6的環(huán)境下，而大多數(shù)內(nèi)存經(jīng)過優(yōu)化，都只能運(yùn)行在CL7的時序下，如果用戶本身對內(nèi)存以及修改內(nèi)存參數(shù)的BIOS比較了解的話，那么時序可以優(yōu)化到較低數(shù)值的產(chǎn)品，無疑可以帶給用戶更好的內(nèi)存性能。

　　超頻是內(nèi)存一個永遠(yuǎn)的話題，而本次參測的產(chǎn)品在內(nèi)存測試這一環(huán)節(jié)上，應(yīng)該可以令人滿意了。在不加電壓的環(huán)境下，即使是超頻成績最差的產(chǎn)品也可以超到DDR3 1680這一水準(zhǔn)上，這一成績足以滿足未來QPI或者外頻更高的處理器了。此外，從每款產(chǎn)品的工作溫度來看，沒有一款超過40℃的，這也說明，盡管頻率大幅提升，但在新技術(shù)以及低電壓的環(huán)境下，DDR3內(nèi)存的工作溫度完全無需我們擔(dān)心。

　　河南科技市場網(wǎng)的推薦

　　推薦產(chǎn)品：空缺

　　盡管本次參測的產(chǎn)品在測試成績上有高有低，但是從整體來看，沒有一款產(chǎn)品的成績能脫穎而出的。大多數(shù)產(chǎn)品在測試成績上比較相近，即使它們的默認(rèn)時序不一樣，但是在像PCMark以及實際的游戲測試中，這種時序上的優(yōu)勢卻無法體現(xiàn)出來。此外，就超頻成績而言，除了金士頓的DDR3內(nèi)存沒能跨過DDR3 1700的大關(guān)，其他參測DDR3 1333的內(nèi)存超頻幅度都相差不多，最高為DDR3 1740，最低為DDR3 1720，也就是說實際的存儲單元頻率相差不到3MHz。鑒于這種情況，我們決定本次的“編輯推薦獎”空缺。

　　從去年DDR3內(nèi)存開始逐漸步入市場，但現(xiàn)在我們拿到的參測產(chǎn)品，不得不說，DDR3內(nèi)存降價之快也是我們始料未及的。目前DDR3 1333單條1GB的內(nèi)存，價格在兩三百元左右，如果購買DDR3 1066的內(nèi)存，價格還會更低，看來不僅是Intel要推廣DDR3內(nèi)存，即使是晶圓大廠以及內(nèi)存廠商，也試圖從DDR2內(nèi)存中擺脫出來，抓住DDR3這塊市場的先機(jī)。本次參測的內(nèi)存廠商，包括像勝創(chuàng)、金士頓、宇瞻、金泰克等，目前在市面上都有多款不同類型的DDR3內(nèi)存在銷售。看來隨著Core i7平臺的推出，內(nèi)存廠商們也想借這股風(fēng)能推動內(nèi)存的新市場。不過我們認(rèn)為，只有等Nehalem的中低端處理器以及相對應(yīng)的主板推出后，DDR3才能在市面上更迅速的普及，Core i7和X58主板，甚至是過去使用DDR3內(nèi)存的主板4系列主板還是顯得昂貴高端了一些。

　　超頻，Nehalem的新難題

　　其實對于DDR3內(nèi)存來說，超頻并不是多難的事情，在過去的4系列主板上，只要電壓加到1.7V，大多數(shù)DDR3內(nèi)存都能達(dá)到DDR3 1800以上的成績，可在Core i7上又不一樣了。由于Core i7的核心電壓和內(nèi)存電壓同步，想要提升內(nèi)存電壓超頻，就必須同時提升處理器的核心電壓。相對的，玩家如果想要大幅度提升外頻，那么就不得不將核心電壓提升到一個并不安全的等級，這樣對那些想將處理器外頻超到更高的水準(zhǔn)的DIY玩家來說，這無疑算是一個難題。這種“糾結(jié)”的結(jié)果很可能讓不少DIY玩家在超頻時束手束腳。這可能也是一些以超頻為賣點的主板廠商需要考慮的問題。

　　時代巨輪不可阻擋

　　2008年和2009年都將是DDR2和DDR3并存的時代。但在2008年，DDR2內(nèi)存可以說是意氣風(fēng)發(fā)，DDR3完全無法與其爭鋒;而在2009年，我們預(yù)計DDR3內(nèi)存的狀況將會得到大幅的改善，這是新一代IT產(chǎn)品的需要，也是時代進(jìn)步的需要。當(dāng)然，DDR2在2009年肯定不會就此消亡，畢竟大批的用戶以及產(chǎn)品依然需要DDR2內(nèi)存。不過我們相信DDR3內(nèi)存在普及的速度上肯定會比DDR2內(nèi)存快，畢竟現(xiàn)在的DDR3內(nèi)存的價格可遠(yuǎn)不如2004年DDR2內(nèi)存的價格高，而在Intel和AMD兩個巨頭的推動下，DDR3內(nèi)存必然將在較短的時間里徹底吞噬DDR2內(nèi)存的市場。

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